Begriff |
Definition |
| AMP |
HP-Compaqs Konzept Advanced Memory Protection
umfasst Funktionen Hot Spare Memory , Memory Mirroring und Advanced ECC-Chipkill
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| Chipkill |
IBM
Chipkill™ist eine Weiterentwicklung des Hauptspeicher-Fehlerkorrekturcode ECC, die
den Ausfall eines kompletten Speicherchips kompensieren kann.
In der ursprünglichen Variante funktioniert
Chipkill mit einem 128-Bit-Speicherbus mit 16 redundanten Bits (zwei 64-Bit-Busse mit ECC) nur für x4-organisierte Speicherchips.
Intel nennt diese Fehlersicherungsmethode auch x4 Single Device Data Correction (SDDC). Chipkill ist mittlerweile bei manchen Chipsätzen auch
für x8-Chips möglich. Chipkill wird auch von Serverhersteller wie Acer,
Apple, Dell, Fujitsu-Siemens,
Silicon Graphics und Sun eingesetzt.
Siehe auch:
Chipkill™ - Datensicherheit von heute »» CompuRAMPressemitteilung (PDF-Dokument)
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| DDR |
Double Data Rate (DDR)
DDR-Speicher sind die nächste Generation der heutigen SDRAM-Speicher. Der DDR-Speicher basiert
prinzipiell auf demselben Design wie SDRAM, nur dass beim DDR-Speicher Daten auf beiden Flanken eines Taktzyklus gelesen werden, wodurch sich die
Bandbreite im Vergleich zu Standard-SDRAMs verdoppelt. Damit können die Daten auf einem Datenbus ohne Erhöhung der Taktfrequenz mit doppelt so hoher
Geschwindikgeit übertragen werden im Vergleich zu SDRAM. Gängige Geschwindigkeiten sind DDR266
- PC2100DDR333
- PC2700 und DDR400 - PC3200
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| DDR2 |
Eine Weiterentwicklung des DDR-SDRAM Konzeptes sind die DDR2-SDRAM Speicher. Bei
den DDR2-Speichern wurde der Speicher-Cache von 2- auf 4-fach-Prefetch-Einheiten erhöht.
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| Dual Channel |
Vereinfacht gesagt verdoppelt eine Dual Channel Konfiguration im Vergleich zum Singel Channel Modus
die theoretische Datentransferrate Ihres Systems. Dies geschieht durch das Bündeln eines passenden
Modulpaares in Verbindung mit einem parallelen Speicherzugriff auf die beiden Speicherkanäle. Es gibt unterschiedliche
Bedingungen hierfür. Siehe Dual Channel DDR oderDual Channel DDR2 und DDR3
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| DDR3 |
Das DDR3-SDRAM
Konzept verwendet acht (statt vier) gleichzeitig ansprechbare Speicherbänke für eine effektivere
Datenverarbeitung. Die Anordnung der Chip-Pins wurde für höhere Taktraten optimiert. Die Versorgungsspannung
beträgt 1,5 Volt. Der Speicher-Cache wurde von 4- auf 8-fach-Prefetch-Einheiten erhöht.
Dadurch können die Chips
intern mit halben Takt arbeiten. Das senkt die Verlustleistung, erhöht aber auch die Wartezeiten zwischen der
Anforderung und der Auslieferung eines Speicherinhaltes (CAS-Latency).
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| DIMM |
Dual In-line Memory Module
DIMM-Module und SIMM-Module unterscheiden sich hauptsächlich in den Kontakten der Metallstifte.
Bei den DIMM-Modulen sind die Metallstifte auf den gegenüberliegenden Seiten des Moduls
unabhängig voneinander und bilden zwei Kontakte.
Die Metallstifte auf jeder Seite des SIMM-Moduls sind miteinander verbunden und bilden einen Kontakt.
Man unterscheidet zwischen 168pin
SDRAM, 184pin
DDR und 240Pin DDR2.
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| DRAM |
Dynamic Random Access Memory
Der dynamische Direktzugriffspeicher ist die am häufigsten verwendete Form des Systemspeichers.
Der DRAM-Speicher kann eine bestimmte Datenmenge nur für kurze Zeit aufnehmen und speichern.
Um die Daten zu erhalten, muß der DRAM regelmäßig aufgefrischt werden, wenn nicht, gehen die Daten verloren.
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| ECC |
Error Correction Code
Der Fehlerkorrekturcode ist eine Methode, die Integrität der Daten im DRAM zu prüfen.
Diese Methode kann sowohl Mehr-Bit-Fehler feststellen, als auch Einzel-Bit-Fehler erkennen und korrigieren. Im
Vergleich zur Paritätsprüfung ist ECC eine komplexere Fehlerbestimmungsmethode.
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| EDO |
Extended Data Output Memory
Auf Computern mit EDO-Speicher kann die CPU 10- 15% schneller auf den Speicher zugreifen, als bei Verwendung vergleichbarer Chips, die FPM
(Fast Page Mode) nutzen. Dies wird durch eine Form der DRAM-Technologie ermöglicht, die den Lesezugriff beschleunigt.
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| FLASH |
Ein Flash-Speicher ist ein sog. nichtflüchtiger Speicher, der nur Strom benötigt
zum Lesen und Beschreiben. Für den dauerhaften Erhalt von Daten ist kein Strom erforderlich. Dadurch
ist der Stromverbrauch geringer. Im Vergleich zu den herkömmlichen DRAM-Speichern liest und
schreibt man auf einen nichtflüchtigen Speicher allerdings langsamer.
Flash-Memorys findet man hauptsächlich in Digitalkameras und MP3-Playern, Camcordern und Druckern, Notebooks
und Handhelds. Sie können aber auch als Speicherkarten für Arbeitsplatzrechner eingesetzt werden und
für ein schnelles Zwischenspeichern zum Anschluss an Großrechner.
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| Flex Mode |
Diese neue Dual Channel Technology bietet die höchste Flexibilät bei der Bestückung
mit Speichermodulen. Er hebt sozusagen fast alle bisherigen Beschränkungen und Anforderungen
an die Speichermodule auf. Der Dual Channel Modus funktioniert auch beim Einsatz von nur 2, 3 oder
4 DIMMs mit unterschiedlicher Gesamtkapazität in den Speicherkanälen.
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| FPM |
Fast Page Mode
Dabei handelt es sich um eine gängige DRAM-Speicherart. Bei Fast-Page-Speicher kann der
Prozessor des Computers in der halben Zeit auf neue Daten zugreifen, wenn diese sich auf der gleichen
Seite wie die vorher gelesenen Daten befinden.
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| Fully-Buffered (FB-DIMMs) |
Die Fully-Buffered Technologie ist eine neue Speicherbustechnologie, mit
der das Geschwindigkeits- und Kapazitätsproblem
der herkömmlichen Registered-DDR2-Speichermodule
gelöst werden konnte.
Zentraler Bestandteil dieser neuen Speicherarchitektur ist der Advanced Memory Buffer (AMB),
der die Pufferung und Verteilung der Daten zwischen den einzelnen Speicherchips auf dem Modul übernimmt.
Dabei erfolgt die Verarbeitung der Daten nicht mehr parallel sondern seriel,l mittels Punkt-zu-Punkt-Verbindungen zwischen dem Memory-Controller und
dem ersten sowie zwischen den einzelnen Speicherchips.
Dadurch können sowohl die Speicherkapazitäten, als auch die Speichergeschwindigkeiten um ein
Vielfaches erhöht werden. Des Weiteren ermöglicht diese Speicherarchitektur eine bessere Skalierbarkeit und
Flexibilität und bietet umfangreiche Datensicherheitsfeatures.
Siehe auch:
CompuRAM - Kompatible Arbeitsspeicher jetzt auch mit Fully-Buffered Technologie
»
Zur Pressemitteilung (PDF-Dokument)
Gängigste Geschwindigkeiten für INTEL-Chipsätze
ist DDR2-667
- PC2-5300 FB - ECC - Fully Buffered
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| Hot Spare Memory |
(auch: DIMM Sparing oder Online-Ersatzspeicher)
Bei der Hot-Spare-Memory-Technologie
steht eine festgelegte Speicherbank als Ersatz zur Verfügung. Stellt einMemory-Controller
häufige Speicherfehler bei einem Modul fest, deaktiviert er automatisch die Bank mit dem defekten
Modul und aktiviert die Ersatz-Speicherbank. Das Hot-Spare-Modul wird automatisch zugeschalten
und es kommt zu keinen Datenverlusten im laufenden Betrieb.
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| Northbridge |
Als Northbridge bezeichnet man den Speichercontroller und die Verbindung in Form des Front-Side-Bus zwischen
Hauptspeicher, Cache und CPU.
AMD integriert diese Northbridge bei ihren Server
und Workstationchipsätzen in die CPU.
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| Memory Mirroring |
Die 1:1 Speicherspiegelung erfordert zwei identische Speichermodule
in zwei verschiedenen Bänken. Der Memory-Controller blendet den gespiegelten Speicher automatisch aus
und arbeitet nur mit einem aktiven Speicher. Entdeckt der Speicher-Controller eine Fehlerhäufung
im aktiven Speicherbereich, schaltet er im laufenden Betrieb ohne Datenverluste auf den gespiegelten
Bereich. Der Nachteil der Speicherspiegelung ist, dass durch diese Methode der nutzbare Gesamtspeicher
halbiert wird.
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| Memory Scrubbing |
Das Memory Scrubbing ist in der Lage, unabhängig vom Betriebssystem präventiv
einen automatisierten Speichertest durchzuführen. Allerdings setzt Memory Scrubbing eine aktivierte
ECC-Funktion des Chipsatzes voraus. Im Rahmen des Speichertests werden Speicherfehler untersucht und
gegebenfalls sicherheitsrelevante Funktionen wie Memory Mirroring oder ProteXion gestartet. Dadurch
sollen Server-Ausfälle aufgrund von Speicherdefekten verhindert werden. Die Ergebnisse des Speichertests
werden an die Server-Management-Software weitergeleitet.
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| Parity |
Bei der Paritätsprüfung handelt es sich um ein Verfahren zur Erkennung von Fehlern bei der
Datenübertragung . Neben den 8-Datenbits wird ein zusätzliches 9. Prüfbit bzw. Paritätsbit
vom Sender gesetzt und vom Empfänger ausgewertet.
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| RAM |
Random Access Memory In Computern werden RAMs von Zentraleinheiten (CPU) als Arbeitsspeicher
oder Hauptspeicher eingesetzt, auf die sie wahlfrei zugreifen können. Das
bedeutet, dass auf jedes Byte direkt zugegriffen werden kann, ohne dass das vorherige oder folgende
Byte einen Bezug dazu hat. In einem RAM kann - im Gegensatz zum ROM (= Read Only Memory) beliebig
geschrieben und lesend zugegriffen werden. Die Daten werden in einem RAM so lange gespeichert, bis sie
durch neue Daten überschrieben werden und so lange wie das RAM von einer Versorgungsspannung
versorgt wird. Die Zugriffszeiten von RAMs liegen im Nanosekunden-Bereich.
Man unterscheidet statisches SRAM
und dynamisches DRAM. Beim statischen RAM bleiben Informationen nach dem Schreiben für
längere Zeit erhalten, beim dynamischen RAM verflüchtigt sich die eingeschriebene Information
nach Sekundenbruchteilen und muss daher ständig aufgefrischt werden (refresh).
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| RAMBUS |
Rambus® Dynamic Random Access Memory
Rambus® DRAM ist eine Artsynchroner DRAM, die von der US-Firma Rambus
Corporation entwickelt wurde und von Intel als Nachfolgetechnik von SDRAM für Arbeitsspeicher im gesamten Computermarkt
lanciert wurde. Statt RDRAM wurde aber DDR-SDRAM der SDRAM-Nachfolger im DRAM-Massenmarkt und Rambus®
DRAMkonnte sich nur in speziellen Anwendungen behaupten. Als gängiste Bauform kann 184pin
RIMM 800 Mhz und 184pin RIMM 800 Mhz - ECC genannt werden. Im Grafikkartenmarkt
wird die Rambustechnologie weiterhin genutzt.
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| Rank |
Der Begriff „Rank”
wurde vom JEDEC (Joint Electron Device Engineering
Council) eingeführt. Ein Memory Rank, auch
als Speicherreihe bezeichnet, ist ein 64 Bit breiter Datenbereich eines Speichermoduls, der einzeln adressiert
werden kann. Je nachdem, wie und mit welchen DRAM-Chips ein DIMM hergestellt wird, kann es 1, 2 oder 4 Ranks
enthalten. Entsprechend wird es dann als Single-, Dual- oder Quad-Rank-Modul bezeichnet. Wenn nicht
der richtige Modultyp ausgewählt wird, könnte
das den Weg für spätere Speichererweiterungen verbauen. Ebenso besteht zwischen der Anzahl der
Memory Ranks und der Speichergeschwindigkeit des Servers ein enger Zusammenhang.
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| Registered DIMM |
Registered DIMMs verfügen über spezielle Treiber-Bausteine (Register-ICs),
die die Adress- und Datensignale eines Speichermoduls aufbereiten und an die Speicher-Chips weiterleiten.
Bei den herkömmlichen Unbuffered-Modulen sind alle Signalleitungen parallel geschaltet und führen
direkt zu den Speicherbausteinen. Dort wo hohe Speicherkapazitäten erforderlich sind, können ungepufferte Speichermodule
die Signale zu stark belasten und Störungen verursachen.
Ein Nachteil der Registered-DIMM-Technologie
ist die Zeitverzögerung, die aufgrund des Takts für das Signal-Refreshing entsteht. Allerdings
gleicht der Vorteil eines stabileren Systems im Server-Umfeld diese Performance-Einbuße wieder aus. Werden
als 168pin,
184pin
für Intel
bzw. AMD)
und 240pin DDR2 und 240pin DDR3 angeboten.
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| SDDC |
Single Device Data Correction
Bei x4-DDR-Speicher bietet Intel® x4 Single Device Data Correction (x4 SDDC) eine Fehlererkennung
und -korrektur für 1, 2, 3 oder 4 Bits innerhalb desselben Speicherchips und eine Fehlererkennung
bis zu 8 Bits innerhalb von zwei Speicherchips.
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| SDRAM |
Synchronous Dynamic Random Access Memory
Das SDRAM-Verfahren verwendet einen Taktgeber,
um die Signaleingabe und -ausgabe auf einem Speicherchip zu synchronisieren. Der Taktgeber auf
dem Speicherchip ist mit dem Taktgeber der CPU koordiniert, so dass die Zeitabläufe der Speicherchips
und der CPU synchronisiert werden. Dieses Verfahren erzielt eine Zeitersparnis beim Ausführen von
Befehlen und Übertragen von Daten. So kann bei SDRAM die CPU um etwa 25% schneller auf den
Arbeitsspeicher zugreifen als beim EDO-Speicher.
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| SIMM |
strong>Single In-line Memory Module
Ein SIMM-Modul wird in die Speichererweiterungssockel
des Computers eingesteckt. SIMMs können mühelos installiert werden und benötigen im Vergleich
zu den horizontal installierten DRAM-Modulen nur einen minimalen Platzbedarf.
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| SO-DIMM |
Small Outline Dual In-line Memory Module
Ein SO-DIMM ist ungefähr halb so lang wie ein 72poliges SIMM-Modul und ist eine erweiterte
Version eines standardmäßigen DIMM-Moduls. Aufgrund der geringen Baugröße wird dieses
Konzept in Industrie-PC´s und Notebooks der Hersteller Acer,
Apple, Dell,
Fujitsu-Siemens,
HP-Compaq,
Lenovo,
Siemens,
Sony und
Toshiba
verwendet.
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| unbuffered |
Bei den herkömmlichen Unbuffered-Modulen sind alle Signalleitungen parallel geschaltet und
führen direkt zu den Speicherbausteinen. Dort, wo hohe Speicherkapazitäten erforderlich sind,
können ungepufferte Speichermodule die Signale zu stark belasten und Störungen verursachen.
Deshalb werden unbuffered Module vorzugsweise in Desktoprechnern von Acer,
Apple,
Dell,
Fujitsu-Siemens,
HP-Compaq,
IBM,
Lenovo
verwendet.
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Verwendete Logos, Produkt- und Markennamen können eingetragene Marken der Hersteller sein und dienen nur Identifikationszwecken.
