Begriff |
Definition |
| AMP |
HP-Compaqs
Konzept Advanced Memory Protection
umfasst Funktionen Hot Spare Memory , Memory
Mirroring und Advanced ECC-Chipkill |
| Chipkill |
IBM
Chipkill™ist eine Weiterentwicklung
des Hauptspeicher-Fehlerkorrekturcode ECC, die
den Ausfall eines kompletten Speicherchips kompensieren
kann.
In
der ursprünglichen Variante funktioniert
Chipkill mit einem 128-Bit-Speicherbus mit 16
redundanten Bits (zwei 64-Bit-Busse mit ECC) nur
für x4-organisierte Speicherchips.
Intel nennt diese Fehlersicherungsmethode auch
x4 Single Device Data Correction (SDDC). Chipkill
ist mittlerweile bei manchen Chipsätzen auch
für x8-Chips möglich. Chipkill wird
auch von Serverhersteller wie Acer,
Apple, Dell,
Fujitsu-Siemens,
Silicon
Graphics und Sun
eingesetzt.
Siehe auch:
Chipkill™ - Datensicherheit von heute »»
CompuRAMPressemitteilung (PDF-Dokument) |
| DDR |
Double Data Rate (DDR)
DDR-Speicher sind die nächste Generation
der heutigen SDRAM-Speicher. Der DDR-Speicher basiert
prinzipiell auf demselben Design wie SDRAM, nur
dass beim DDR-Speicher Daten auf beiden Flanken
eines Taktzyklus gelesen werden, wodurch sich die
Bandbreite im Vergleich zu Standard-SDRAMs verdoppelt.
Damit können die Daten auf einem Datenbus ohne
Erhöhung der Taktfrequenz mit doppelt so hoher
Geschwindikgeit übertragen werden im Vergleich
zu SDRAM. Gängige Geschwindigkeiten sind DDR266
- PC2100DDR333
- PC2700 und DDR400
- PC3200 |
| DDR2 |
Eine Weiterentwicklung des DDR-SDRAM Konzeptes
sind die DDR2-SDRAM Speicher. Bei
den DDR2-Speichern wurde der Speicher-Cache von
2- auf 4-fach-Prefetch-Einheiten erhöht. |
| Dual Channel |
Vereinfacht gesagt verdoppelt eine Dual Channel
Konfigurationim Vergleich zum Singel Channel Modus
die theoretische Datentransferrate ihres Systems.
Dies geschieht durchdas Bündeln eines passendes
Modulpaares in Verbindung mit einem parallelen Speicherzugriff
auf die beiden Speicherkanäle. Es gibt unterschiedliche
Bedingungen hierfür. Siehe Dual
Channel DDR oder
Dual Channel DDR2 und DDR3 |
| DDR3 |
Das DDR3-SDRAM
Konzept verwendet acht (statt vier) gleichzeitig
ansprechbare Speicherbänke für eine effektivere
Datenverarbeitung. Die Anordnung der Chip-Pins wurde
für höhere Taktraten optimiert. Die Versorgungsspannung
beträgt 1,5 Volt. Der Speicher-Cache wurde
von 4- auf 8-fach-Prefetch-Einheiten erhöht.
Dadurch können die Chips
intern mit halben Takt arbeiten. Das senkt die Verlustleistung,
erhöht aber auch die Wartezeiten zwischen der
Anforderung und der Auslieferung eines Speicherinhaltes
(CAS-Latency). |
| DIMM |
Dual In-line Memory Module
DIMM-Module und SIMM-Module unterscheiden
sich hauptsächlich in den Kontakten der Metallstifte.
Bei den DIMM-Modulen sind die Metallstifte
auf den gegenüber-liegenden Seiten des Moduls
unabhängig voneinander und bilden zwei Kontakte.
Die Metallstifte auf jeder Seite des SIMM-Moduls
sind miteinander verbunden und bilden einen Kontakt.
Man unterscheidet zwischen 168pin
SDRAM, 184pin
DDR und 240Pin
DDR2. |
| DRAM |
Dynamic Random Access Memory
Der dynamische Direktzugriffspeicher ist
die am häufigsten verwendete Form des Systemspeichers.
Der DRAM-Speicher kann eine bestimmte Datenmenge
nur für kurze Zeit aufnehmen und speichern.
Um die Daten zu erhalten, muß der DRAM regelmäßig
aufgefrischt werden, wenn nicht, gehen die Daten
verloren. |
| ECC |
Error Correction Code
Der Fehlerkorrekturcode ist eine Methode,
die Integrität der Daten im DRAM zu prüfen.
Diese Methode kann sowohl Mehr-Bit-Fehler feststellen
als auch Einzel-Bit-Fehler erkennen und korrigieren.Im
Vergleich zur Paritätsprüfung ist ECCeine
komplexere Fehlerbestimmungsmethode. |
| EDO |
Extended Data Output Memory
Auf Computern mit EDO-Speicher kann die
CPU 10- 15% schneller auf den Speicher zugreifen
als bei Verwendung vergleichbarer Chips, dieFPM
(Fast Page Mode) nutzen. Dies wird durch eine Form
der DRAM-Technologie möglich, die den Lesezugriff
beschleunigt. |
| FLASH |
Ein Flash-Speicher ist ein sog.
nichtflüchtiger Speicher, der nur Strom benötigt
zum Lesen und Beschreiben. Für den dauerhaften
Erhalt von Daten ist kein Strom erforderlich. Dadurch
ist der Stromverbrauch geringer. Im Vergleich zu
den herkömmlichen DRAM-Speichern liest und
schreibt man auf einen nichtflüchtigen Speicher
allerdings langsamer.
Flash-Memorys findet man hauptsächlich in Digitalkameras
und MP3-Playern, Camcordern und Druckern, Notebooks
und Handhelds. Siekönnen aber auchals Speicherkarten
für Arbeitsplatzrechner eingesetzt werden und
für ein schnelles Zwischenspeichern zum Anschluss
an Großrechner. |
| Flex Mode |
Diese neue Dual Channel Technology bietet die
höchste Flexibilätbei der Bestückung
mit Speichermodulen. Er hebt sozusagen fast alle
bisherigen Beschränkungen und Anforderungen
an die Speichermodule auf. Der Dual Channel Modus
funktioniert auch beim Einsatz von nur 2, 3 oder
4 DIMMs mit unterschiedlicher Gesamtkapazität
in den Speicherkanälen.. |
| FPM |
Fast Page Mode
Dabei handelt es sich um eine gängige
DRAM-Speicherart. Bei Fast-Page-Speicher kann der
Prozessor des Computers in der halben Zeit auf neue
Daten zugreifen, wenn diese sich auf der gleichen
Seite wie die vorher gelesenen Daten befinden. |
| Fully-Buffered (FB-DIMMs) |
Die Fully-Buffered
Technologie ist eine neue Speicherbustechnologiemit
der das Geschwindigkeits- und Kapazitätsproblem
der herkömmlichen Registered-DDR2-Speichermodulen
gelöst werden konnte.
Zentraler Bestandteil dieser neuen Speicherarchitektur
ist der Advanced Memory Buffer (AMB),
der die Pufferung und Verteilung der Daten zwischen
den einzelnen Speicherchips auf dem Modul übernimmt.
Dabei erfolgt die Verarbeitung der Daten nicht
mehr parallel sondern seriell mittels Punkt-zu-Punkt-
Verbindungen zwischen dem Memory-Controller und
dem ersten sowie zwischen den einzelnen Speicherchips.
Dadurch können sowohl die Speicherkapazitäten
als auch die Speichergeschwindigkeiten um ein
Vielfaches erhöht werden. Des Weiteren ermöglicht
diese Speicherarchitektur eine bessere Skalierbarkeit
und
Flexibilität und bietet umfangreiche Datensicherheitsfeatures.
Siehe auch:
CompuRAM - Kompatible Arbeitsspeicher
jetzt auch mit Fully-Buffered Technologie
»
Zur Pressemitteilung (PDF-Dokument)
Gängigste Geschwindigkeiten für INTEL-Chipsätze
ist DDR2-667
- PC2-5300 FB - ECC - Fully Buffered
|
| Hot Spare Memory |
(auch: DIMM Sparing oder Online-Ersatzspeicher)
Bei der Hot-Spare-Memory-Technologie
steht eine festgelegte Speicherbank als Ersatz
zur Verfügung. Stellt einMemory-Controller
häufige Speicherfehler bei einem Modul fest,
deaktiviert er automatisch die Bank mit dem defekten
Modul und aktiviert die Ersatz-Speicherbank. Das
Hot-Spare-Modul wird automatisch zugeschalten
und es kommt zu keinen Datenverlusten im laufenden
Betrieb. |
| Northbridge |
Als Northbridge bezeichnet man den Speichercontroller
und die Verbindung in Form des Front-Side-Bus zwischen
Hauptspeicher, Cache und CPU.
AMD integriert diese Northbridge bei ihren Server
und Workstationchipsätzen in die CPU. |
| Memory Mirroring |
Die 1:1 Speicherspiegelung erfordert zwei identische Speichermodule
in zwei verschiedenen Bänken. Der Memory-Controller
blendet den gespiegelten Speicher automatisch aus
und arbeitet nur mit einem aktiven Speicher. Entdeckt
der Speicher-Controller eine Fehlerhäufung
im aktiven Speicherbereich, schaltet er im laufenden
Betrieb ohne Datenverluste auf den gespiegelten
Bereich. Der Nachteil der Speicherspiegelung ist,
dass durch diese Methode der nutzbare Gesamtspeicher
halbiert wird. |
| Memory Scrubbing |
Das Memory Scrubbing ist in der
Lage, unabhängig vom Betriebssystem präventiv
einen automatisierten Speichertest durchzuführen.
Allerdings setzt Memory Scrubbingeine aktivierte
ECC-Funktion des Chipsatzes voraus. Im Rahmen des
Speichertests werden Speicherfehler untersucht und
gegebenfalls sicherheitsrelevaante Funktionen wie
Memory Mirroring oder ProteXion gestartet. Dadurch
sollen Server-Ausfälle aufgrund Speicherdefekte
verhindert werden. Die Ergebnisse des Speichertests
werden an die Server-Management-Software weitergeleitet.
|
| Parity |
Bei der Paritätsprüfung handelt es sich
um ein Verfahren zur Erkennung von Fehlern bei der
Datenübertragung . Neben den 8-Datenbits wird
ein zusätzliches 9. Prüfbit bzw. Paritätsbit
vom Sender gesetzt und vom Empfänger ausgewertet.
|
| RAM |
Random Access Memory In Computern
werden RAMs von Zentraleinheiten (CPU) als Arbeitsspeicher
oder Hauptspeicher eingesetzt,
auf den sie wahlfrei zugreifen können. Das
bedeutet, dass auf jedes Byte direkt zugegriffen
werden kann, ohne dass das vorherige oder folgende
Byte einen Bezug dazu hat. In einem RAM kann - im
Gegensatz zum ROM (= Read Only Memory) beliebig
geschriebenund lesend zugegriffen werden. Die Daten
werden in einem RAM so lange gespeichert, bis sie
durch neue Daten überschrieben werden und so
lange wie das RAM von einer Versorgungsspannung
versorgt wird. Die Zugriffszeiten von RAMs liegen
im Nanosekunden-Bereich.
Man unterscheidet statisches SRAM
und dynamisches DRAM. Beim statischen
RAM bleiben Informationen nach dem Schreiben für
längere Zeit erhalten, beim dynamischen RAM
verflüchtigt sich die eingeschriebene Information
nach Sekundenbruchteilen und muss daher ständig
aufgefrischt werden (refresh). |
| RAMBUS |
Rambus® Dynamic Random Access Memory
Rambus® DRAM ist eine
Artsynchroner DRAM, die von der US-Firma Rambus
Corporation entwickelt wurde und von Intel als Nachfolgetechnik
von SDRAM für Arbeitsspeicher im gesamten Computermarkt
lanciert wurde.Statt RDRAM wurde aber DDR-SDRAM
der SDRAM-Nachfolger im DRAM-Massenmarkt und Rambus®
DRAMkonnte sich nur in speziellen Anwendungen behaupten.
Als gängiste Bauform kann 184pin
RIMM 800 Mhz und 184pin
RIMM 800 Mhz - ECC genannt werden. Im Grafikartenmarkt
wird die Rambustechnologie weiterhin genutzt. |
| Rank |
Der Begriff „Rank”
wurde vom JEDEC (Joint Electron Device Engineering
Council) eingeführt. Ein Memory Rank, auch
als Speicherreihe bezeichnet, ist ein 64 Bit breiter
Datenbereich eines Speichermoduls der einzeln adressiert
werden kann. Je nachdem, wie und mit welchen DRAM-Chips
ein DIMM hergestellt wird, kann es 1, 2 oder 4 Ranks
enthalten. Entsprechend wird es dann als Single-,
Dual- oder Quad-Rank-Modul bezeichnet. Wenn nicht
der
richtige Modultyp ausgewählt wird, könnte
das den Weg für spätere Speichererweiterungen
verbauen. Ebenso besteht zwischen der Anzahl der
Memory Ranks und der Speichergeschwindigkeit des
Servers ein enger Zusammenhang. |
| Registered DIMM |
Registered DIMMs verfügen
über spezielle Treiber-Bausteine (Register-ICs),
die die Adress- und Datensignale eines Speichermoduls
aufbereiten und an die Speicher-Chips weiterleiten.
Bei den herkömmlichen Unbuffered-Modulen sind
alle Signalleitungen parallel geschaltet und führen
direkt zu den Speicherbausteinen. Dort wo hohe Speicherkapazitäten
erforderlich sind können ungepufferte Speichermodule
die Signale zu stark belasten und Störungen
verursachen.
Ein Nachteil der Registered-DIMM-Technologie
istdie Zeitverzögerung, die aufgrund des Takts
für das Signal-Refreshing entsteht. Allerdings
gleicht der Vorteil einesstabileren Systems im Server-Umfeld
diese Performance-Einbuße wieder aus. Werden
als 168pin,
184pin
für Intel
bzw. AMD)
und 240pin
angeboten. |
| SDDC |
Single Device Data Correction
Bei x4-DDR-Speicher bietet Intel® x4 Single
Device Data Correction (x4 SDDC) eine Fehlererkennung
und -korrektur für 1, 2, 3 oder 4 Bits innerhalb
desselben Speicherchips und eine Fehlererkennung
bis zu 8 Bits innerhalb von zwei Speicherchips.
|
| SDRAM |
Synchronous Dynamic Random Access Memory
Das SDRAM-Verfahren verwendet einen Taktgeber
um die Signaleingabe und Signalausgabe auf einem
Speicherchip zu synchronisieren. Der Taktgeber auf
dem Speicherchip ist mit dem Taktgeber der CPU koordiniert,
so daß die Zeitabläufe der Speicherchips
und der CPU synchronisiert werden. Dieses Verfahren
erzielt eine Zeitersparnis beim Ausführen von
Befehlen und Übertragen von Daten. So kann
bei SDRAM die CPU um etwa 25 % schneller auf den
Arbeitsspeicher zugreifen als beim EDO-Speicher. |
| SIMM |
Single In-line Memory Module
Ein SIMM-Modul wird in die Speichererweiterungssockel
des Computers eingesteckt. SIMMs können mühelos
installiert werden und benötigen im Vergleich
zu den horizontal installierten DRAM-Modulen nur
einen minimalen Platzbedarf. |
| SO-DIMM |
Small Outline Dual In-line Memory Module
Ein SO-DIMM ist ungefähr halb so lang
wie ein 72poliges SIMM-Modul und ist eine erweiterte
Version eines standardmäßigen DIMM-Moduls.
Aufgrund der geringen Baugröße wird dieses
Konzept in Industrie-PC´s und Notebooks der
Hersteller Acer,
Apple, Dell,
Fujitsu-Siemens,
HP-Compaq,
Lenovo,
Siemens,
Sony und
Toshiba
verwendet. |
| unbuffered |
Bei den herkömmlichen Unbuffered-Modulen
sind alle Signalleitungen parallel geschaltet und
führen direkt zu den Speicherbausteinen. Dort
wo hohe Speicherkapazitäten erforderlich sind
können ungepufferte Speichermodule die Signale
zu stark belasten und Störungen verursachen.
Deshalb werden unbuffered Module vorzeigsweise in
Desktoprechnern von Acer,
Apple,
Dell,
Fujitsu-Siemens,
HP-Compaq,
IBM,
Lenovo
verwendet. |
Verwendete Logos, Produkt- und Markennamen können
eingetragene Marken der Hersteller sein und dienen nur
Identifikationszwecken.
